Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции

Город: МоскваИздательство: НИЯУ МИФИГод: 2010Количество страниц 148Содержание:Общие вопросы радиационной стойкостиРадиационная стойкость элементной базыКлассификация радиационных эффектов в ИСКлассификация типов радиационно-стойких ИСОтбор элементной базыИспользование микросхем коммерческих технологий (СOTS)Статистический разброс параметровМетодология QMLМетоды отбраковкиОптимизация процедуры отбраковкиМетоды расчета радиационно-индуцированных токов утечки в транзисторах КМОП-технологииПостановка задачиФизическая механизмы радиационно-индуцированных токов утечки в МОП транзисторахПеренос и захват зарядовПроцессы релаксации захваченного зарядаВыход заряда в сильных поляхРадиационно-индуцированные токи утечкиТехнология «кремний на изоляторе» (КНИ)Особенности КНИ технологийИзоляция типа LOCOS и STIДиэлектрическая изоляция мелкими канавками (STI)Многоуровневый поход к моделированию радиационно-индуцированных токов утечкиФизическая модель радиационно-индуцированных токов утечкиРезультаты моделированияТок утечки после воздействия импульса ИИЭкстракция параметров для SPICE моделирования токов утечкиДозовые эффекты в наноэлектронных приборахМикродозовые эффектыХарактеристики high-K диэлектриков и стойкость к микродозовым эффектамМоделирование аномальных эффектов низкой интенсивности в приборах биполярной и КМОП технологииПостановка задачиОсобенности эффекта низкой интенсивностиФизическая модель усиления деградации при низкой интенсивностиРезультаты расчетов зависимости выхода зарядов от мощности доз, температуры облучения и электрического поляМоделирование конкуренции усиления выхода заряда и отжига при повышении температуры облучения и сравнение с экспериментомМодель с одним типом дефектаМодель с двумя типами рекомбинационных центровОптимизация процедуры испытанийЭффекты низкой интенсивности в приборах МОП-технологийЭффекты ELDRS в МОП дозиметрахСовместное описание эффекта временного логарифмического отжига и эффекта усиления выхода заряда при низкой интенсивностиУчет влияния эффектов низкой интенсивности на токи утечки в МОП транзисторахСхемотехническое моделирование параметров чувствительности ячеек памяти КМОП технологий при воздействии сбоев тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространстваПостановка задачиМоделирование одиночных сбоевМоделирование импульса ионизационного импульса тока, вызванного прохождением ТЗЧФизика переключения в ячейке статической памятиЗависимость критического заряда ячейки статической памяти от ее схемотехнических параметровЗависимость критического заряда ячейки статической памяти от дозы предварительного облученияПаразитный биполярный эффект в КНИ КМОП ИМСФизическое моделирование паразитного биполярного эффектаСхемотехническое моделирование паразитного биполярного эффектаБиполярный эффект и сбоеустойчивость ячейки памятиЭкспериментальное исследование биполярного эффекта в КНИМетоды повышения сбоеустойчивости статической памятиПовышение сбоеустойчивости стандартной ячейки памятиУчет особенностей технологии на этапе проектированияПерспективы развития наноразмерных радиационно-стойких КНИ КМОП технологийМетоды расчета интенсивности одиночных сбоев от тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространстваПостановка задачиОсновные концепции и физические приближения моделиОсновные приближенияЛинейная передача энергии (ЛПЭ)Чувствительный объемКритическая энергия и критический зарядВероятность сбоя как стохастическая величина и функция чувствительностиРаспределение длин хордУсреднение по ЛПЭ спектруОбщий метод вычисления частоты отказовОбщая формулаОбласти оптимальных сбоевСвязь с предыдущими работамиПодход БрэдфодаПодход ПикеляПодход АдамсаПодход ПитерсенаМетод эффективного потокаФеноменологический подход к расчету интенсивности сбоевМетод расчета скорости сбоев, основанный на сеченииРасчет сечения с помощью усреднения по длинам хордРасчет интенсивности с помощью усреднения по угламЭкспериментальные аспектыПрограммный комплекс «ОСОТ» для прогнозирования скорости одиночных сбоев в условиях космического пространстваМоделирование эффектов ионизационного воздействия нейтронов на элементы КМОП технологий высокой степени интеграцииПостановка задачиМеханизмы ядерных взаимодействийНеупругие взаимодействияУпругие взаимодействияИнтенсивность нейтронно-индуцированных ядерных взаимодействийНейтронно-индуцированная ионизацияЭффективное значение флюенса вторичных частицМикродозиметрический аспект ионизации в чувствительных микро объемахЧувствительный объемОценка критического заряда по току утечкиПриближение малых объемовПриближение больших объемовВероятности и сечения отказовСечение отказов при единичных событияхУчет распределения вторичных частиц по ЛПЭОбратимые сбои от нейтронов и протоновКорреляции между протонными и нейтронными сбоямиОценка сечения насыщения отказов от нейтронных реакцийРасчет интенсивности нейтронно-индуцированных ядерных реакций в приближении большого чувствительного объемаМетоды теории надежностиОсновные понятияРасчет надежностиНадежность систем с последовательным соединением элементовГорячее резервированиеХолодное резервированиеМодель надежности сложных систем Книга «Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции» автора Г. И. Зебрев оценена посетителями КнигоГид, и её читательский рейтинг составил 0.00 из 10.
Для бесплатного просмотра предоставляются: аннотация, публикация, отзывы, а также файлы для скачивания.