Читать онлайн «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования»
Автор В. И. Шевяков
Принципы масштабирования ИС... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 67
2. 2. Особенности литографии при производстве
масштабированных ИС... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 69
2. 3. Методы самосовмещения в технологии СБИС... ... ... ... . 71
Самосовмещение методом
«полного эмиттера»... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 71
Самосовмещение с помощью
«твердой маски». ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 71
Самосовмещение с помощью маски
со стенками с отрицательным
углом наклона... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 72
Самосовмещение с помощью диффузии
из легированного поликремния... ... ... ... ... ... ... ... ... . .
72
Самосовмещение с помощью
латерального подтравливания пленок... ... ... ... ... . . 72
Самосовмещение с помошью «спейсеров»... ... ... ... ... 73
3. Примеры маршрутов изготовления ИС... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 74
3. 1. Маршруты изготовления биполярных ИС... ... ... ... ... . . 74
Е2IС-технология... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 74
PSA-технология
(технология с самосовмещением
с использованием поликремния)... ... ... ... ... ... ... ... ... 76
Самосовмещенный с вертикальной изоляцией
биполярный интегральныйтранзистор VIST... ... . . 82
Суперсамосовмещенная технология
изготовления биполярного интегрального
транзистора SSТ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 84
Самосовмещенный биполярный интегральный
транзистор с двумя слоями поликремния... ... ... ... . 89
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Оглавление 5
Базовый изопланарный маршрут изготовления
биполярного интегрального транзистора... ... ... ... . . 91
3. 2.