Читать онлайн «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования»

Автор В. И. Шевяков

Принципы масштабирования ИС... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 67 2. 2.  Особенности литографии при производстве масштабированных ИС... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 69 2. 3.  Методы самосовмещения в технологии СБИС... ... ... ... . 71 Самосовмещение методом «полного эмиттера»... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 71 Самосовмещение с помощью «твердой маски». ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 71 Самосовмещение с помощью маски со стенками с отрицательным углом наклона... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 72 Самосовмещение с помощью диффузии из легированного поликремния... ... ... ... ... ... ... ... ... . .
72 Самосовмещение с помощью латерального подтравливания пленок... ... ... ... ... . . 72 Самосовмещение с помошью «спейсеров»... ... ... ... ... 73 3. Примеры маршрутов изготовления ИС... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 74 3. 1. Маршруты изготовления биполярных ИС... ... ... ... ... . . 74 Е2IС-технология... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 74 PSA-технология (технология с самосовмещением с использованием поликремния)... ... ... ... ... ... ... ... ... 76 Самосовмещенный с вертикальной изоляцией биполярный интегральныйтранзистор VIST... ... . . 82 Суперсамосовмещенная технология изготовления биполярного интегрального транзистора SSТ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 84 Самосовмещенный биполярный интегральный транзистор с двумя слоями поликремния... ... ... ... . 89 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Оглавление 5 Базовый изопланарный маршрут изготовления биполярного интегрального транзистора... ... ... ... . . 91 3. 2.