Читать онлайн «Схемные применения МОП-транзисторов»

. . Е - ,  Texas Instruments Electronics Series MOSFET IN CIRCUIT DESIGN Metal  Oxide  Semiconductor Fieldeffect Transistors for Discrete and Integratedcircuit Technology ROBERT Н. CRAWFORD Semiconductor Components Division Semiconductor Research and Development Laboratory Texas Instruments Incorporated McGRAWHJLL 8001< COMPANY New У ork San Francisco Toronto London Sydney 1967 р Кроуфорд СХЕМНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ МОЛ. . ТРАНЗИСТОРОВ 17еревод с анелийскоео 170д редакцией М. с. саНИНА Издательство "МИР" МОСКВА 1970  'ДK 621. 382. 32 ОТ РЕДАКТОРА PYCCKOrO ИЗДАНИЯ Книrа посвящена одному из наиболее перспектив- ных полупроводниковых приборов  полевому транзи", стору со структурой металл  окисел  полупроводник. Описаны физические принципы деЙствия lV\ОllарибораJ ero статические, переходные и частотные характеристи- ки. Освещены вопросы использования МОПприборов в интеrральных схемах и приведен ряд примеров расчета лоrических элементов на Nl0Птранзисторах. Кратко рассмотрено применение МОПприборов в линейных схемах. Эта лаконично написанная моноrрафия весьма емка по содержанию и рассчитана на разработчиков полупро- водниковых приборов И радиоэлеhТРОННОЙ аппаратуры, а также инженеровспециалистов по применению инТе- rральных схем. Редакция литературы по новой технике БОЛЫlIое внимание, уделяемое в настоящее время приборам со структурой металл  окисел  полупровод. . ник, объясняется не только тем, что эти приборы обла- дают рядом уникальных электрических свойств, но так. . же и тем, что их применение в интеrральных схемах от. . крывает новые перспективы для микроэлектроники. С по- мощью . . \1. 0П. . приборов осуществляется переход от обыч. . ных интеrральных схем к так называемым большим интеrральным схемам (БИС). представляющим собой законченные функциональные блоки, выполненные на одном кристалле полупроводника. Хотя в периодических изданиях опубликовано боль шое число работ, посвященных теории, расчету и свой ствам МОПприборов, использование этих материалов затрудняется изза их распыленности и различий в Tep минолоrии. В связи с этим книrа Р. Кроуфорда, являю. . щаяся одним из первых систематизированных руко. . водств для работаюших в этой чрезвычайно быстро раз вивающейся области полупроводниковой электроники, представляет несомненный интерес для широкоrо Kpyra советских спеuиалистов. Следует отметить инженерный подход автора к решению затронутых проблем, а также наличие большоrо количества rрафиков и примеров практическоrо расчета, помоrающих более полному ис пользованию материала книrи. Книrа, кроме Toro, не требует от читателя rлvбоких знаний в области полупро водниковой электроники. Инд. 3312 142-70  6 От редактора русскоео издания При переводе пришлось преодолеть определенные трудности, обусловленные тем, что мноrие термины еще окончательно не установились, а также и тем, что OTe чественная и зарубежная терминолоrии заметно отли чаются друr от друrа.