Читать онлайн «Исследование по теории процессов управления свойствами кристаллов и слоев»

$4сслФАованн4ф к1Ф теФрх4&п $!рФщФ**Фж укхр8вле&пр{ж св*Ёаств&ми кРрЁстАллФж Рн слФнв !ФР 'Ёц]  министвРство пРосввщРния у3Бвкскои ссР сь1 РдАРьи нскии госудАРств в ннь1и п вдАго гичв скии институт имР. ни гАФуРА гулямА ) в. н. РомАнвнко, Р. х. кАРимов, т. п. умуР3Аков исслвдовАнив по твоРи[4 пРоцвссов упРАвлвния свойствАми кРистАллов и словв тАшквнт и3дАтвльство <ФАн} у3Бвкскои ссР !987 удк 537. 313. 33 АР,"вук €. Ё. ' :\4. окрицкий Б. А. , Романенко в. н. ' каримовР. {,. - 9мурзаков 1. |1. }|сследование по теории процессов управления свойства_ ми кристаллов и слоев. 1ашкент: Фан. 1987. 56 с. Б монографии представлень1 результаты решения 3адач по теории явлений массопере|{оса, протекающи. х при >кидкофазной эпитаксии с"[оев полупроводни_ ковых материалов. 9асть задач впервь1е решена примен]. 1тельно к эпитаксии способом принудительг1ого охла)кдения раствора_расплава' ограниченного двумя гори3онтально располо}кеннь!ми под":1ох(ка},1и. [!олуненньте данные использова- ны для управлен]. ]я толщиной, структурнь|ми и другими своЁ;ствами слоев на !римере соединения типа А3Б5. . [,ля наунных ра6отников, аспирантов' преподавателей и студентов. Ал. _25' 6и6л. - 35 назв. вввдвнив Фтветственный редактор ч/1ен-корреспондент АЁ }з€€Р Р. А. йцмт;нов Раз;витие и усовор1пенство,вание элемонтной базьт т'вердотель- Рецензенты: ной электроники требует !рас1пирения как асс;орти}{ента' так |4 канд|{дать| технических наук 3. [. Аб0цкаршмов, \'. !. Акрамов' диапаз'о)на 3начений параметров пол!п!:0водниковь1х матер]иал|ов. кандидаты физико-математическ!'!}: наук 1. Р. Рцсбаев, 3. |(ашчанов 1раАишио'нньт,е пр0мь||пленнь1е методь| получения их объемнь1х моно]кри1сталло1в не могут в полной 'мере удовлетв,о,рять таким требова)ниятм в3]{А} недостаточно,] управляем1о|ст1. { процессами вь1- ращива]ния слитко,в. € этой точки з;рения от них вь]подно отли- чаются !м'етодьт то;!1{0нт:й!9ванного }та!?11{}1:в2ния (эпитаксия) сло|ев €ергеЁ: Ёиколаевич !,раннук, Бадтам Анато'. |ьевич }4окрицкий, полуцр о1водн'иковь1х ш1 атер]иалов. Бладимир Р|ико. таевич Романенко, |[р'оцеосьт э. [1птакси'||, св1ойства получае'шть!х слоев 3ависят от Раипл {абибевин (аримов, больштого числа взаим'освяза1нньтх факторов, нто 3атрудняет их 1ашпулат |!арАаевин }мурзаков промьт1пленн'ое применение.