Читать онлайн «Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности ПЦфм»

Г. Мюллер ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА конвекция и неоднородности Перевод с английского канд. физ. -мат. наук Ан. В. Бунэ под редакцией д-ра физ. -мат. наук, проф. В. И. Полежаева Москва «Мир» 1991 ИЗ Л Jf* J / /Ъ ББК 22. 37 + 24. 5 М98 УДК 621. 78. 066+ 548 Мюллер Г. М98 Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности: Пер. с англ. -М. : Мир, 1991. -143 с, ил. ISBN 5-03-002101-9 В монографии известного специалиста из ФРГ рассматриваются конвектив- конвективные процессы при выращивании из расплавов полупроводниковых кристаллов методами Бриджмена, зонной плавки, Чохральского. На основе эксперименталь- экспериментальных данных и численного моделирования уравнений Навье-Стокса изучается структура полей течений и температуры и выясняются причины макро- и микро- неоднородвостей в распределении примесей, обусловленных тепловой гравита- гравитационной конвекцией. Книга содержит большое число иллюстраций, являющихся наглядной интерпретацией результатов технологических экспериментов. Обсуж- Обсуждаются практические мероприятия, позволяющие устранить причины образования дефектов макро- и микронеоднородностей. All Rights Reserved. Autorized translation from English language edition published by Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo © перевод на русский язык, с исправлениями и дополне- дополнениями, Бунэ Ан. В. , 1991 Предисловие редактора перевода Монокристаллы и полупроводниковые структуры широко применяются в качестве элементной базы ЭВМ, в технике связи, лазерной технике и во многих других приложениях. К однородности и структурному совершен- совершенству кристаллов предъявляются весьма высокие требования, которые непре- непрерывно возрастают в связи с миниатюризацией всех видов электронной техники. Процессы гидромеханики и тепломассообмена, происходящие в жидкой (газовой) питающей среде при кристаллизации, могут быть при- причиной разнообразных дефектов в кристаллах (дислокации, макро- и микро- микронеоднородности распределения примесей) и существенно влиять на произ- производительность и ход соответствующих технологических процессов, являясь в некотором смысле связующим звеном между условиями их протекания и структурой и свойствами получаемых кристаллов. Несмотря на то что эти свойства в большинстве случаев хорошо изучены, физические причины, вызывающие те или иные дефекты кристаллов, исследованы в значительно меньшей степени, и поэтому имеются большие резервы повышения качества кристаллов, в особенности в связи с проблемой управления и автомати- автоматизации процессов их роста при промышленном производстве.