Читать онлайн «Технология полупроводниковых материалов»

САНКТПЕТЕРБУРГ МОСКВА КРАСНОДАР 2012  С. Е. АЛЕКСАНДРОВ Ф. Ф. ГРЕКОВ ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ Издание второе, исправленное САНКТПЕТЕРБУРГ МОСКВА КРАСНОДАР 2012 ББК 31. 233я73 А 46 Александров С. Е. , Греков Ф. Ф. А 46 Технология полупроводниковых материалов: Учебное пособие. 2'е изд. , испр. — СПб. : Издательст' во «Лань», 2012. — 240 с. : ил. — (Учебники для ву' зов. Специальная литература). ISBN 9785811412907 Представлена технология и техника производства полупро' водниковых материалов, имеющих широкое применение в элек' тронной промышленности. Рассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компо' нентов бинарных соединений, необходимые для обоснования ра' циональных приемов их глубокой очистки, синтеза и получения в виде массивных монокристаллов. Приведены традиционные и новейшие технологические схе' мы и технические решения, даны краткие описания оборудова' ния, позволяющие формировать оптимальные схемы производ' ства с учетом требований к качеству продукции. Пособие предназначено для студентов вузов, обучающихся по магистерской программе «Современные проблемы материало' ведения» направления подготовки магистров «Материаловедение и технология материалов». Оно также может быть использовано при обучении в системах повышения квалификации и в учреж' дениях дополнительного профессионального образования. ББК 31. 233я73 Рецензенты П. Н. БРУНКОВ — доктор физико'математических наук, ведущий научный сотрудник Физико'технического института им. А. Ф. Иоф' фе РАН; Р. А. МИРЗОЕВ — доктор химических наук, профессор, зав. кафедрой «Теоретические основы металлургии цветных ме' таллов» СПбГПУ. Обложка Е. А. ВЛАСОВА Охраняется законом РФ об авторском праве. Воспроизведение всей книги или любой ее части запрещается без письменного разрешения издателя. Любые попытки нарушения закона будут преследоваться в судебном порядке. © Издательство «Лань», 2012 © С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2012 © Издательство «Лань», художественное оформление, 2012  СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ АВЧ — алюминий высокой чистоты БЗП — бестигельная зонная плавка БД (кристалл) — бездислокационный (кристалл) ДДС — диоксидисилоксан ИАГ — иттрий%алюминиевый гранат КТР — коэффициент термического расширения МОС — металлоорганические соединения МЭТ — материалы электронной техники НОК — недоокись кремния ОЭС — оже%электронная спектроскопия ТХС — трихлорсилан ПГС — парогазовая смесь РЗМ — редкоземельные металлы СБИС — сверхбольшие интегральные схемы СВС — самораспространяющийся высокотемпературный синтез СОРИНЭ — спектроскопия обратно рассеянных ионов низкой энергии ССК (цикл) — сорбционно%сублимационно% кристаллизационный (цикл) ТБФ — трибутилфосфат ТВЧ — токи высокой частоты ЩЗМ — щелочноземельные металлы ТриЭОС — триэтоксисилан ТЭОС — тетраэтоксисилан Тпл, Ткип, Тсубл — температура плавления, кипения, сублимации соответственно CVD%технология — технология химического осаждения из газовой (паровой) фазы (chemical vapour deposition) 7N — содержание основного вещества 99,99999% ppm — пропромилле, частей на миллион (parts per million)  ВВЕДЕНИЕ Необходимым компонентом и условием рабо ты в области материалов электронной техники и нанома териалов является знание накопленного опыта техноло гической деятельности с наиболее важными объектами изучаемого класса.