Читать онлайн «Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2»

Министерство образования Республики Беларусь Научно–производственное объединение “ИНТЕГРАЛ” Учреждение образования «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» Филиал кафедры электронной техники и технологии Р УИ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ БГ по дисциплинам “ТЕХНОЛОГИЯ ИЗДЕЛИЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ”, а ек “СПЕЦИАЛЬНОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ” для студентов специальностей: т “Проектирование и производство РЭС”, “Электронно-оптические системы и технологии” ио Часть 2 бл Би Минск “Интегралполиграф” 2007  УДК 621. 3. 049. 77 (076. 5)(075. 8) ББК 32. 844. 1 я 73 Л 12 Авторы: В. А. Емельянов, Л. П. Ануфриев, А. П. Достанко, В. Л. Ланин, В. В. Глухманчук, С. М. Завадский, О. Л. Кайдов, А. О. Коробко, С. В. Гвоздевич, В. И Сивец, В. П. Шамягин Р Под редакцией академика НАН Беларуси А. П. Достанко УИ электроники», БГ Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей “Проектирование и а производство РЭС”, ”Электронно-оптические системы и технологии” / В. А. Емельянов [и др. ] ; под ред. А. П. Достанко – Минск: ек Интегралполиграф, 2007. –60 с. : ISBN т ио Лабораторный практикум включает исследования процессов формирования легированных слоев в кремнии ионной имплантацией на установке «ЛАДА-30», эпитаксиальных слоев бл кремниевых структур и контроля их параметров, технологии изготовления биполярных транзисторов и контроля их параметров. Предназначен для закрепления и углубления теоретических Би знаний, приобретения практических навыков работы с технологическим оборудованием и приборами контроля параметров кремниевых структур. УДК 621. 3. 049. 77 (076. 5)(075. 8) ББК 32. 844. 1 я 73 © УП ”Интегралполиграф”, 2007 ISBN 2  СОДЕРЖАНИЕ Лабораторная работа №4 ФОРМИРОВАНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ В КРЕМНИИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ПРИ СОЗДАНИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ……. …………………………………. . …………………………………. . 4 Р Лабораторная работа №5 УИ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И ИЗМЕРЕНИЕ ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ……… 22 Лабораторная работа №6 БГ ФОРМИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР И КОНТРОЛЬ ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ………………………………………………………………... . 38 а ек т ио бл Би 3  Лабораторная работа № 4 ФОРМИРОВАНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ В КРЕМНИИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ПРИ СОЗДАНИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Цель работы Изучить основы процесса ионной имплантации при создании элементов интегральных схем, принцип действия и устройство установок для ионного легирования на примере установки ЛАДА-30.