Читать онлайн «В лабиринтах силовой электроники»

С е анне Моделирование MOSFET и IGBT транзисторов с помощью SPICE 5 Введение 5 MOSFET 5 IGBT 9 Обеспечение защиты от перегрузки в MOSFET драйверах 14 Введение 14 Режимы короткого замыкания 14 Включение транзистора при коротком замыкании в цепи нагрузки 1В Короткое замыкание нагрузки у включенного транзистора 16 Применение драйверов IR для защиты от КЗ 17 Драйвер одиночного транзистора 18 Драйвер трехфазного моста 20 Схемотехнические способы борьбы с защелкиванием в каскадах с IGBT транзисторами 23 Введение 23 Причины защелкивания 24 Методы исключения защелки 26 Автоматизация теплового расчета оконечных каскадов на IGBT транзисторах 32 Введение 32 Тепловая модель 32 Методика расчета 36 IGBT или MOSFET? Практика выбора 41 Общие положения 41 Потери проводимости 41 Потери переключения 45 Практические рекомендации 48 Однотактная схема 51 Понижающий DC-DC конвертор (чоппер) 52 Полумостовая схема с индуктивной нагрузкой 54 О производителях 56 IGBT транзисторы в системе электронного зажигания 58 Введение 58 IGBT транзистор 59 Описание схемы : 60 Электролитические конденсаторы. Особенности применения 67 Особенности конструкции 67 Потери в ЭК 68 Тепловой расчет 69 Ток утечки 70 Срок службы и надежность 70 Электрическая модель электролитического конденсатора 72 Тепловая модель электролитического конденсатора 72 Параллельное и последовательное соединение ЭК 73 Причины отказов ЭК 77 Выбор и расчет ЭК 78 Среднеквадратичное значение тока пульсаций IRMS 78 Двухполупериодный выпрямитель 80 Фильтр импульсного источника питания 86 Силовые привода. Компоненты для выходных каскадов. . 89 А. И. Колпаков <9 AftOlAp1/U\*u4, с/кло*€о1л, Э/lJUcwi ОКЛДДСК Санкт-Петербург 2000 Андрей Ильич Колпаков В лабиринте силовой электроники (сборник статей) - СПб: "Издательство Буковского", 2000. - 96 с: ил. ISBN 5-88407-105-1 В сборнике "В лабиринте силовой электроники" рассмотрены пути решения проблем, возникающих при создании силовых электронных устройств, преобразователей постоянного и переменного тока на транзисторах M05FET и IGBT. Особое значение автор придает предварительному компьютерному анализу тепловых режимов работы транзисторов, без которых невозможно обеспечить надежность работы схемы при заданных значениях тока, напряжения, частоты, температуры окружающей среды. ISBN 5-88407-105-1 © А. И. Колпаков © Компьютерный дизайн и верстка И. Н. Абдулина, Н. Г. Абдулин Статьи, предлагаемого читателям сборника, объединяет общая тема. Все они посвящены особенностям применения компонентов силовой электроники - наиболее динамично развивающейся области электронной техники. Значительные успехи силовой электроники и интерес, проявляемый к ней, объясняются, в первую очередь, появлением на рынке новых, уникальных элементов - транзисторов MOSFETn IGBT. Книг по применению этих элементов на русском языке практически нет. Фирмы-производители предлагают разработчикам технические характеристики. Как правило, они выполнены на высоком уровне,. и информации, содержащейся в них, вполне достаточно для опытных пользователей. Однако, несмотря на кажущуюся простоту схемотехнических решений, существует масса проблем, тонкостей, "подводных камней", которые поджидают как начинающих и, так и опытных разработчиков на каждом шагу.