Читать онлайн «Контроль параметров полупроводников»

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ Белорусский национальный технический университет Кафедра «Микро- и нанотехника» ТУ БН КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ий Лабораторный практикум для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов ор и компонентов электронной техники» з ит по Ре Минск БНТУ 2013 1 УДК 539. 2(075. 8) ББК 22. 379я7 К65 Составители: С. П. Сернов, Д. В. Балохонов, Г. В. Имбро ТУ Рецензенты: В. Б. Оджаев, В. И. Сопряков БН ий ор Контроль параметров полупроводников : лабораторный практикум ит К65 для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники» / сост. : С. П. Сернов, Д. В. Бало- хонов, Г. В. Имбро. – Минск : БНТУ, 2013. – 86 с. з ISBN 978-985-550-075-0. по Данный лабораторный практикум содержит теоретические сведения и инструкции, необходимые для выполнения лабораторных работ по дис- циплине «Контроль параметров полупроводников». В практикум включены лабораторные работы, посвященные эффекту Ре Холла, явлениям фотоЭДС на границе раздела «полупроводникэлектро- лит», фотоэлектромагнитному эффекту, емкостным и зондовым методам контроля полупроводников. УДК 539. 2(075. 8) ББК 22. 379я7 ISBN 978-985-550-075-0 © Белорусский национальный технический университет, 2013 2  СОДЕРЖАНИЕ Лабораторная работа № 1 Электрофизические параметры полупроводниковых материалов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Лабораторная работа № 2 Анализ радиального распределения рекомбинационных ТУ параметров методом поверхностных фотоЭДС. . . . . . . . . . . . . . . . 29 Лабораторная работа № 3 БН Определение рекомбинационных параметров p–Ge методом ФЭМ-эффекта. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 Лабораторная работа № 4 Определение и концентрационного профиля легирования в базовой области p–n-перехода методом ий вольтфарадных характеристик. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58 Лабораторная работа № 5 ор Определение времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 з ит по Ре 3  Лабораторная работа № 1 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Цель работы: провести измерения параметров полупроводников в нормальных условиях с помощью эффекта Холла, определить температурную зависимость электрических параметров различных ТУ полупроводниковых материалов n- и р-типа и определить ширину запрещенной зоны Si и Ge.