Читать онлайн «Проектирование средств контроля и диагностики с элементами высокой интеграции: Методические указания к выполнению лабораторных работ N 6, 7, 9, 10, 11»

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СРЕДСТВ КОНТРОЛЯ И ДИАГНОСТИКИ С ЭЛЕМЕНТАМИ ВЫСОКОЙ ИНТЕГРАЦИИ Методические указания к выполнению лабораторных работ № 6, 7, 9, 10, 11 Санкт-Петербург 2005  Составители: кандидат технических наук, доцент С. И. Ковалев, кандидат технических наук, доцент В. А. Голубков Даны методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Проектирование средств контроля и диагностики с элементами высокой интеграции» и ориентированы на изучение записи и чтения из энергозависимой памяти данных микроконтроллеров фирмы Microchip Technology, работы последовательного интерфейса 12С, последовательной передачи данных и работы с прерываниями. Методические указания предназначены для студентов специальности 190200 – «Приборы и методы контроля качества и диагностики». Подготовлены кафедрами электротехники и информационных систем и рекомендованы к изданию редакционно-издательским советом государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения». Подписано к печати 28. 04. 05. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 2,03. Уч. -изд. л. 2,48. Тираж 100 экз. Заказ № Отпечатано с оригинал-макета, подготовленного автором Отдел оперативной полиграфии СПбГУАП 190000, Санкт-Петербург, ул. Б. Морская, 67 © ГОУ ВПО «СПбГУАП», 2005  Лабораторная работа № 6 Изучение записи и чтения из энергонезависимой памяти данных микроконтроллеров фирмы Microchip Technology Цель работы: ознакомление с процессами чтения и записи в энергонезависимую память данных PIC-контроллеров (на примере PIC16F877) и приемами программирования EEPROM. Методические указания 1. EEPROM ПАМЯТЬ ДАННЫХ Данные из EEPROM памяти и FLASH памяти программ могут быть прочитаны/перезаписаны в нормальном режиме работы микроконтроллера во всем диапазоне напряжения питания VDD. Операции выполняются с одним байтом для EEPROM памяти данных и одним словом. Запись производится по принципу "стирание – запись" для каждого байта. Сформированная кодом программы операция стирания не может выполнена при включенной защите записи. Число циклов стирания/записи смотрите в разделе электрических характеристик (для EEPROM памяти данных EEPROM память данных должна использоваться для сохранения часто изменяемых данных. Время записи данных управляется внутренним таймером, оно зависит от напряжения питания, температуры и имеет небольшой технологический "разброс".